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TSV工藝又叫矽通孔工藝。主要是在直徑幾微米到幾十微米的深孔中用銅填滿，TSV轉換板廣泛運用於3D IC 封裝，通過在垂直方向上堆疊多個芯片來提升芯片的存儲容量和集成度。

但是TSV工藝實現起來難度特別大，首先得在矽片上刻蝕出深而窄的通孔，深寬比有時候需要達到30:1，且要保證孔內部粗糙度和角度等。

其次要在孔內電鍍的方式填充銅，且不能有空洞和氣泡，填好後還需要做CMP拋光。

在TSV工藝後做CMP拋光的難點在於糖心网站免费入口的CMP拋光機上要有EDP檢測以便能精準的控製拋光的深度，同時設備需要有分區加壓的功能，以便滿足孔內銅層的拋光深度。